Gorbatyuk, Andrej Vasziljevics
| Andrej Vasziljevics Gorbatyuk | |
|---|---|
| Születési dátum | 1946. május 9. (76 évesen) |
| Születési hely | Val vel. Kapitanovka , Zlatopolsky kerület , Kirovograd megye , Ukrán SSR , Szovjetunió |
| Ország | Szovjetunió → Oroszország |
| Tudományos szféra | félvezető fizika |
| Munkavégzés helye | FTI őket. Ioff RAS |
| alma Mater | Odesszai Politechnikai Intézet |
| Akadémiai fokozat | a fizikai és matematikai tudományok doktora |
| Akadémiai cím | Egyetemi tanár |
| Díjak és díjak |
 |
Andrej Vasziljevics Gorbatyuk (született : 1946. május 9., Kapitanovka falu , Kirovograd régió , Ukrán SSR ) szovjet és orosz elméleti fizikus , az erősáramú félvezető eszközök specialistája. A Szovjetunió Állami Díjának kitüntetettje (1987) .
Szakmai életrajz
Az Odesszai Politechnikai Intézetben (ma Odesszai Nemzeti Politechnikai Egyetem ) végzett, majd posztgraduális tanulmányait az FTI-n végezte. A. F. Ioffe, a Leningrádi Szovjetunió Tudományos Akadémiájának (ma RAS ) munkatársa .
1981 óta az FTI-nél dolgozik. Ioff az Erőteljes Félvezető Eszközök Laboratóriumában, jelenleg főkutató. A fizikai és matematikai tudományok doktora (2003).
1996 óta részmunkaidőben tanít a Szentpétervári Műszaki Egyetemen . professzor (2011).
Tudományos tevékenység és eredmények
Kidolgozta az injektálási folyamatok dinamikájának és stabilitásának elméletét többrétegű és integrált félvezető szerkezetekben nagy áramsűrűség mellett. Javasolt egy fizikai elvet, és kidolgozta a fordított kapcsolású dinisztor (RVD) elméletét - egy mikroszekundumos teljesítmény-félvezető kapcsolót. Az RVD-t A. V. Gorbatyuk részvételével valósították meg a Fizikotechnikai Intézetben, és a mikroszekundumos tartomány legerősebb nagyfeszültségű (3 kV) félvezető kapcsolójává vált (maximális kapcsolási áram 0,3⋅10 6 A).
Mintegy 90 tudományos közlemény szerzője [1] . Válogatott művek:
- Grekhov IV , Gorbatyuk AV , Kostina LS , Korotkov SV , Jakovtchuk NS Superpower switch mikroszekundumos tartományban // Solid-State Electronics - 1983 - vol. 26 - nem. 11-p. 1132.
- Gorbatyuk AV , Grekhov IV , Nalivkin AV A fordított kapcsolású dinisztorok kvázi-dióda működésének elmélete // Szilárdtest-elektronika - 1988 - vol. 31 - nem. 10-pp. 1483-1491 (lásd a jegyzetet ).
- Gorbatyuk AV , Niedernostheide FJ Térbeli áramsűrűség instabilitások többrétegű félvezető struktúrákban // Fizikai áttekintés B – 2002 – v. 65 - nem. 24 – ArtNo#245318 [15 oldal] (lásd absztraktot ).
- Slipchenko SO , Podoskin AA , Pikhtin NA , Tarasov IS , Gorbatyuk AV Stay -state injektálási folyamatok modellje nagy teljesítményű lézer-tirisztorban heterostruktúrán alapuló belső optikai visszacsatolással // IEEE Transactions on Electron Devices – 2015 – v. 62 - nem. 1-pp. 149-154 (lásd absztraktot ).
- Gorbatyuk A. V. Instabilitások és áramrétegződés a félvezető szerkezetekben: tankönyv. juttatás // 2009 - Szentpétervár: A Polytech kiadója. un-ta - 79 p. – ISBN 978-5-7422-2340-5 .
A Szovjetunió Állami Díjának kitüntetettje 1987-ben "A nagy teljesítmények félvezető eszközökkel történő kapcsolásának új elveinek kidolgozásáért" [2] .
Jegyzetek
- ↑ Tekintse meg A. V. Gorbatyuk publikációinak listáját és hivatkozási adatait az eLIBRARY.ru weboldalon .
- ↑ A Szovjetunió tudományos és technológiai állami díjainak odaítéléséről . "Pravda" újság (1987. november 7.). Letöltve: 2020. április 22. Az eredetiből archiválva : 2021. május 14.