Gettering

A getterezés a kristályok külső felülete vagy a csapadék határfelülete által kialakított határfelületeken  a mozgékony, nemkívánatos szennyeződések és hibák semleges asszociációiba való kötődési folyamata [1] .

A gettering folyamat a következő fizikai hatások miatt következik be:

• szennyeződések felszabadulása vagy a kiterjedt hibák kisebb alkatrészekre való szétesése;
• szennyeződések vagy diszlokációk összetevőinek diffúziója ;
• szennyeződések vagy belső intersticiális atomok elnyelése valamilyen nyelő által;

A szennyeződések bejuttatásának három fő mechanizmusa van :

1. Ionpárok kialakulása . Ha egy mintát foszforral adalékolnak, bizonyos szennyeződések, például a réz úgy oszlanak el, hogy az eloszlási profil a szennyező foszforhoz hasonló alakot vesz fel . Ennek eredményeként Cu + P - alakú semleges párok jönnek létre .
2. Megtört rétegek felhasználása .
3. Belső gettering. Leggyakrabban iondopping során nyilvánul meg . A szilícium-oxid kicsapódásának hatása a diszlokációkra ahhoz a tényhez vezet, hogy az utóbbi magához vonzza a nehézfémek szennyeződéseit, így megszabadítja a felületet a szennyeződésektől.

Jegyzetek

1. ↑ Előkészítő műveletek. Gettering . MEPhI. Letöltve: 2022. március 1. Az eredetiből archiválva : 2022. március 1. (Orosz)